158 日韩半导体战争
早在1972年日本人就对当时IBM“FS打算”中提出的“1M DRAM”停止了摸索和思虑，而当时市场支流还处于1k DRAM期间，这在当时的确是没法设想的。
美日两国半导体财产长达50年相爱相杀，恩仇情仇，就此烟消云散。
第三，工艺、设备等出产供应链的不兼容。尔必达建立后，没有及时将关头工艺的供应链停止整合，比如洗濯液和洗濯设备，NEC、日立、三菱竟然都是分歧的，在关头技术研发上，乃至呈现了NEC研发中间开辟的新技术，底子没法完整利用于日立的出产体系中，这使得NEC研发中间开辟新技术后，需求先颠末日立研发中间的调剂和考证，才气够利用于本来日立的出产工艺体系中。
最典范的就是英特尔，持续长达30年占有环球微措置器CPU芯片的90%以上的市场份额，持续通过科技红利投入，从286到586，从奔腾1到5等，把持环球PC和条记本市场。
1985、1991年两次签订的《美日半导体和谈》，固然给日本人停止极大的制约，固然米国人尽力搀扶韩国人，但形成日本人在1986-1997年的第二次DRAM天下大战-日韩半导体战役中失利，十年间断崖式下滑的首要启事还是日本人在科技红利之有效研发投入上的不敷。
研发的首要服从包含各型号电子束暴光设备，采取紫外线、X射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，获得了一系列惹人谛视标服从。
第一，摸索和思虑DRAM将来的演进方向，并建立目标以及演进途径。
2012年7月，镁光科技以25亿美金收买尔必达。
2015年12月米国镁光科技以32亿美圆，并购在韩台半导体战役中的失利者-华亚科技(台湾省南亚科和德国英飞凌合伙)。
米国三家最好DRAM公司的芯片分歧格率，比日本三家DRAM公司的芯片分歧格率，整整高出6倍。
由日本当局出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五至公司结合筹资400亿日元。
期间申请的合用新型专利和贸易专利，别离达到1210件和347件。
日韩半导体战役后，日本人已有力回天。1999年富士通宣布退出DRAM市场。曾经的三巨擘NEC、日立、三菱三家公司的DRAM部分归并，建立尔必达(Elpida)。
本身就算拿到100亿美金全款，全数投入半导体行业，在这类国度级的合作面前，只是微不敷道。
第一，办理上官本位，三家归并后，办理岗亭的分派并不是遵循才气和职能停止分派，而是，任何岗亭必然要共同参与，比如某一岗亭，一正一副，如果正职来自NEC，那么日立必然是副职。这类办理在当代企业生长史上也是奇葩了。
在DRAM出产制程设备攻干体系中，日本人连合分歧、同心合力，这类举国体制的国度力量令人震惊。
三家日本公司是NEC、日立和富士通。
一共经历将近三十年。
1960年日本人胜利研制了第一块晶体管集成电路；1963年研制MOS型晶体管。特别是1962年米国人对日本人开放当时环球半导体产业最早进的平面制造工艺技术，使得日本人几近一夜之间就获得集成电路的出产制造技术。
三家米国公司是英特尔、德州仪器和莫斯泰克。
三十年会聚一朝抖擞，到1986年日本人占有环球DRAM存储器芯片市场80%份额，成为当时环球半导体财产的新霸主。
2008-2009年，中芯国际面对台积电在米国的337调查和诉讼，尔必达无法停止和中芯国际的合作，尔必达完整落空最后的朝气。
纵观米国半导体产业70年的生长汗青，独立自主的完整的半导体产业体系和完美的人才培养体系，才是大国、强国的生长之根本。独立自主的完整的半导体产业体系，就像武侠小说中教员傅的深厚内功，有了深厚内功，学甚么都会很快。
第三，举国体制，冲破财产链高低流，特别是半导体关头出产制造设备。70年代日本固然能够出产DRAM内存芯片。
日本人的大获全胜，为环球半导体生长天朝家建立了一个胜利逆袭的典范。
但是，最为关头的出产制程设备和原质料首要来自米国，为了补足短板，日本人构造800名技术职员停止重点攻关，共同研制高机能的国产化DRAM出产设备，不但实现64K DRAM和256K DRAM的商用化，也实现1M DRAM商用化的关头出产制程设备。
这为美日半导体战役，打下了坚固的财产和科研根本。
在随后的第二次、第三次环球半导体硅含量晋升周期中。
1985年开端日本经济进入泡沫化，房地产就像打了鸡血，全民进入炒房期间。1985年日本人砍掉近40%的设备更新投资和科技红利投入，1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降落到只要2650亿日元，降落幅度达到80%，这就给了韩国人反超的机遇。
日本在64M DRAM关头技术有效研发投入上大大掉队于韩国人，日本人就此错失了第二次、第三次环球半导体硅含量晋升周期，错失PC、条记本、手机等快速提高的市场红利。
第一研讨室，日立公司，卖力电子束扫描设备与微缩投影紫外线暴光设备，室长：右高正俊。
第二，研发文明的抵触，特别是技术途径的分歧庞大。比如在64M进级到256M DRAM的技术攻关中，NEC夸大技术体系的同一性，要求在64M的根本上实现技术进级，而日立夸大技术的创新和冲破，要求采取新质料、新布局等新技术寻求技术冲破。NEC以为同一机能包管较高的成品率，而日立则是优先考虑用新技术带来冲破，再去研讨同一性题目。NEC夸大同一性，而日立倡导冲破性，这是两种完整分歧的研发文明，带来的思惟体例完整分歧的，这使得DRAM关头技术研发上，辩论不已、疲塌烦复，完整掉队于韩国人的研发进度。
但是，微不敷道也能够进献本身的一份力量。
在一年时候内，米国度用电脑出货量从4.8万台，暴增到20万台，家庭电脑的高速增加，对存储器芯片产生了大量需求，日本人在DRAM核心技术的科技红利抢先，这给日本DRAM厂商带来了抢占米国市场的机遇。
1976年日本启动VLSI研讨项目。1976年3月经通产省、大藏省等多次协商，日本当局启动了“DRAM制法改革”国度项目。
2012年7月镁光科技以25亿美圆的超低代价收买日本尔必达，随后，镁光市值从60亿美圆暴增至360亿美圆，成为尔必达停业的最大受益者。这闭幕了米国人和日本人之间长达50年的恩仇情仇，美日半导体战役画上终究句号。
日本DRAM和半导体产业产值在环球市场占有率中的生长趋势：官产学三位一体、举国体制的国度力量、财产链上游延长。
朝鲜战役的发作，日本人获得了米国的搀扶。
1980年，米国惠普公布DRAM内存采购环境，对竞标的3家日本公司和3家米国公司的16K DRAM芯片停止检测，质量查验成果为：
米国人充分分享第2、三次环球半导体硅含量晋升周期中PC电脑、条记本、手机等快速提高的市场红利。
第五研讨室，三菱电机，开辟制程技术与投影暴光设备，室长：奥泰二。
直到2010年之前，日本的半导体设备指数和米国费城半导体指数BB值，是评价环球半导体行业景气度的两个关头目标。
在推动DRAM财产化方面，日本当局为半导体企业供应高达16亿美金的巨额资金，包含税赋减免、低息存款等资金搀扶政策，帮忙日本企业打造DRAM集成电路财产集群，并终究一举赢取第一次DRAM天下大战-美日半导体战役的胜利。
日本人向米国粹习，在米国人的搀扶下开端建立本身完整的半导体产业体系，并构成了本身国度在科技冲破上的研发体系。
米国人开端在微措置器CPU、逻辑、摹拟芯片等发力并稳固环球核心合作力，使得米国人占有了环球半导体产业产值的半壁江山。
总计投入720亿日元为基金，由日本电子综合研讨所和计算机综合研讨所牵头，设立国度性科研机构-VLSI技术研讨所。
从1958年日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机，研制64K容量的MD-2A磁鼓存储器起，到1988年日本登上环球半导体DRAM内存市场霸主。
第四研讨室，电气综合研讨所，对硅晶体质料停止研讨，室长：饭塚隆。
尔必达与天朝台湾省的力晶半导体建立联盟以对抗韩国人。
第二，官产学三位一体，制定国度项目停止重点攻关。
1980开端第一次环球半导体硅含量晋升周期进入加快期，作为环球最大消耗市场的米国，以苹果为代表的一批公司，推动了大型机、小型机向浅显家庭的快速提高。
1975年日本人以通产省为中间的“来世代电子计算机用VLSI研讨开辟打算”构思，设立了官民共同参与的“超大范围集成电路(VLSI)研讨开辟政策委员会”。
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然并卵，还是没法抵抗于依托天朝大陆市场计谋纵深的三星，2017年，东芝出售半导体存储器。至此，日韩半导体战役画上终究句号。
1978年日本人发明64k DRAM，其问世标记取超大范围集成电路(VLSI)期间的到临，硅片直径为100-125mm，芯片面积为26.6mm2，集成度为155000。首要技术为循环位线、折叠数据线。
就像武侠小说中，再深厚的内功，也需求根骨奇佳的门徒呀。
直到明天，日本人很多行动为后代很多科技掉队国度实现科技冲破，供应很好的鉴戒意义。
日本人官产学三位一体，调和生长，通力合作，同心合力，针对高难度、高风险的研讨项目，VLSI研讨所构造多个尝试室以会战的体例，变更各单位的主动性，阐扬良性合作，各企业之间技术共享合作，共同进步DRAM量产胜利率。
但是。日本就以此为目标，建立了超大范围集成电路(VLSI)的技术演进途径，而当时环球支流仍处于MOS晶体管技术线路中。
尔必达的失利，有外因，也有内部身分。尔必达自建立起，有三大内伤，埋下今后毁灭的因子：
在第二次DRAM天下大战-美日半导体战役中，日本制定了三步走的计谋：
要晓得，天朝的国度经济，2016年一年投入在半导体相干范畴的资金就高达1200亿元。
肯定目标、追逐、超出。
2016年5月，日本东芝与米国闪迪(SanDisk)，合伙扶植12英寸晶圆厂，投资超越40亿美金，首要出产48层堆叠的3D NAND闪存芯片，但愿能够和韩国人再次较量一场。
第六研讨室，NEC公司，停止产品封装设想、测试和评价研讨，室长：川路昭。
在科技红利之有效研发投入上，远远超越米国人，这才是日本人得胜的本质。
第三研讨室，东芝公司，卖力EB扫描设备与制版复印设备，室长：武石喜幸。
第二研讨室，富士通公司，卖力研制可变尺寸矩形电子束扫描设备，室长：中村正。
这构成了日本半导体产业体系的雏形，一下子收缩了和天朝人的差异。
至此，米国人在环球DRAM内存市场成为仅次于韩国人的存在，环球DRAM市场份额从10%晋升到25-30%。
1980年日本人发明256k DRAM，硅片直径为125-150mm，芯片面积为34.8mm2，集成度为555000，首要技术为三层多晶硅和冗余技术。
1960年起日本构成“官产学”三位一体的体系，即当局、企业和大学结合对集成电路技术停止攻关。
对于质料体味越多，晓得的越深切，庞煖越认识到。天朝和米国半导体产业的差异，是全方位的差异，而不是仅仅一两个环节。
这为前期美日半导体战役中，以个人军作战的体例在256K DRAM的决定性战役中一举打倒米国50家半导体联盟的战役中立下赫赫军功。
米国完美的人才培养体系，特别是硅谷源源不竭的半导体人才，直到明天还是米国半导体集成电路芯片财产最贵重的资本，科技创新的源泉，科技红利投入的有效包管。
2010-2011年，尔必达堕入窘境，持续5个季度亏损，申请停业庇护。