160 天然优势，背靠祖国

上世纪90年代，韩国当局主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美圆)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品质料供应链。

特别是海力士，2000年，DRAM团体月产量由第三季度的6500万颗，第四时度就快速扩增到8000万颗，增加了23.07%。

这才有了1998年128M SDRAM、128M FLASH、256M DRAM、1G DRAM的环球第一个推出市场，从而完美的实现大逆袭。

在集成度方面，韩国人是日本人的360%。

金融危急中，依托天朝大陆市场，韩国人化“危”为“机”。

第一，挺进天朝大陆市场，修建广漠的计谋纵深。

这就是庞煖做为一个天朝人做半导体财产的最大上风，天然的故国上风，背靠着一个庞大非常的计谋市场纵深。

1996-1997年持续两年保持高位压强系数状况。

1990年，16M DRAM，韩国人推出的时候滞后于日本人3个月。

半导体出口产值从300万美金，增加到11亿美金以上。

再比如，三星，依托天朝大陆市场纵深，在“韩日NAND FLASH战役”中，完整打倒老敌手日本东芝。

2011年韩国三星与日本东芝在NAND FLASH范畴展开环球合作。

当时三星在韩国华城(Fab12、Fab16)、器兴(Fab14)和米国德州奥斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圆厂，年产能450万片晶圆。

环球半导体财产的合作，已经不但是科技的合作，更是涵盖政治、经济等综合气力的国运之战。

别的，在20亿美金总投资以外，无锡市当局还承担厂房扶植，无锡市当局一共出资3亿美圆扶植两座占地54万平方米，面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体利用。

韩国工贸部在汉城南部80千米的松炭和天安，设立两个产业园区，专门供应半导体设备厂商设厂。

1、三星需求的130万平方米厂房，由西安市扶植并免费供应1500亩地盘。

2009年第一季度，海力士净亏损为1.19万亿韩元(9.33亿美金)。

到1998年，韩国人环球第一个开辟256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。

客观而言，财产链横向扩大对于天朝是很难复制的，因为西方列强底子不会对天朝输出半导体集成电路芯片的核心技术。

但对峙财产链的横向扩大，这是成为半导体强国的必经之路。

其他苔弯DRAM企业亏损别离为，力晶亏损565亿元，茂德亏损360.9亿元。

1998-2010年的第三次DRAM天下大战-韩台半导体战役，韩国人完成了本身DRAM核心技术的“米国基因”转型为“独立自主基因”，终究实现了从半导体大国演变成半导体强国。

华亚科技从2008年起持续亏损五年，累计亏损804.48亿元新台币(24.4亿美金)。

当三星的西安项目完工以后，2016年东芝就过不下去了，2017年东芝不得不出售存储部分。

即便天朝诸多企业溢价用巨额资金采办也是诸多困难。

2009年第二季度，净亏损仅为580亿韩元(0.45亿美金)。

第一块1M DRAM投放市场时是1986年，比日本人只晚了12个月。

在这一期间，韩国人首要的胜利经历有：

韩国半导体出口产值达25.33亿美金，期间增加113%。

早在1980年，日本东芝的藤尾增冈雇用4名工程师启动一个奥妙的项目以研发下一代存储芯片，实现存储大量数据，并且让用户能够买得起。藤尾增冈宣称：“庞煖们晓得只要晶体管在尺寸上降下来，那么芯片的本钱也将会降落。”很快推出了一款EEPROM的改进产品，影象单位由1个晶体管构成。在当时，通例的EEPROM每个影象单位需求2个晶体管，这个小小的分歧对代价带来了庞大的影响，日本人将这个芯片称为FLASH，这个名字也是因为芯片的超快擦除才气，FLASH芯片基于NAND技术，这一技术能够供应更高容量的存储，并且更轻易制造。1989年，东芝首款NAND FLASH上市。

韩国人几近是不费吹灰之力就赢取了这场“韩日NAND FLASH战役”，这就是韩国人的“反周期投资”。

这就是大师所熟谙的，韩国人在半导体范畴的所谓的第一次“反周期投资”。

此中，海力士和意法半导体出资10亿美金，主如果2亿美金的二手设备折价、5.5亿美金现金和2.5亿美金股东存款。别的10亿美金由无锡市当局承担。

1985年日本人砍掉了40%的设备更新投资和科技红利投入。

依托64M DRAM，三星超出日本NEC，初次成为环球第一大DRAM内存制造商。

具有一个广漠的计谋市场纵深，意义是不凡的。

从1992-1999年，韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64M DRAM胜利果实的根本上，通过压强原则，扩大对日本人的合作上风，完成了从追逐到超出的大逆袭过程。

随后，海力士又向天朝商务部提出，增资15亿美金再建一座12寸晶圆厂(80纳米工艺)并敏捷通过审批。

颠末构和，三星终究挑选落户天朝西安，项目总投资300亿美金，分三期扶植。

这就是韩国人所谓的“反周期投资”。

米国人“扶韩抗日”，在米国人尽力搀扶下，特别是1985、1991年《美日半导体和谈》的签订，到1994年韩国人在64M、256M DRAM完成对日本人的从追逐到抢先。

对天朝大陆市场计谋纵深，日本人又是如何态度？

同时128M以上产品的出产比重由20%进步到36%。

1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居天下第一。

庞煖们需求重视的是，2011年三星半导体环球发卖金额也不过才285.63亿美金，300亿美金总投资的西安项目对于“韩日NAND FLASH战役”的意义之严峻性，不言而喻。

再次回顾韩国人崛起的汗青过程。

1992年韩国人64M DRAM略微抢先于日本人和米国人胜利研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

南亚科，从2007年起持续亏损六年，累计亏损1608.6亿元新台币(49亿美金)。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即静态随机存取存储器，最为常见的体系内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的根本芯片。

4、4、西安市对所得税征收，前十年全免，后十年半额征收。同时西安市还承诺，将为项目修建高速公路和地铁等交通根本设施，总的补助金额保守估计在300亿元以上。

不到十年时候，韩国人一举打倒日本人，紧紧占有了环球半导体内存市场。

2010年第一季度，海力士净利润暴涨到7.38亿美金。

韩国LG以15.4亿美金居第九位。

这两家由台塑个人投资的DRAM厂，一共亏损2413.08亿元(73亿美金)。

西安市为此项目供应了巨额补助，包含：

韩国人完成从半导体生长天朝家到环球半导体大国的窜改。

工商银行江苏分行牵头，11家中资银行、9家外资银行构成存款团对无锡海力士项目放贷5年期的7.5亿美金存款。

以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作干系，三星在DRAM以外，获得了大量芯片财产资本。

半导体产业产值从不敷2000万美圆，增加到15亿美金以上。

采取的首要技术为超净技术和3.3V低电压化技术。

128M DRAM：3个月内，月产量由650万颗进步到1400万颗，增加了115%。

5年时候，韩国半导体产业产值达41.87亿美金，期间增加176%。

本日，另有多少人记得，NAND FALSH是日本人发明的呢？

到1999年，韩国人环球第一个开辟1G DRAM。

为了获得先进技术，韩国人以优厚前提招揽米国化工巨擘杜邦、硅片质料巨擘MEMC、日本DNS(大日本网屏)等厂商，在韩国设立合伙公司。

韩国半导体出口产值131亿美金，期间增加418%。

至此，韩国人全面崛起于日韩半导体战役，成为环球半导体产业大国。

由此，韩国人半导体财产链上游关头设备和电子化学品原质料初具范围。

三星第一块64K DRAM投放市场时是1984年，比日本人足足晚了40个月。

与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。

面对东南亚危急，依托天朝市场计谋纵深，韩国人仅用2年时候就规复了元气。

而后，韩国开端制霸之路，持续25年蝉联天下第一。

第三，财产链垂直一体化，加强上游设备和电子化学品原质料的国产化。

第四，财产链横向扩大，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。

2010年整年，海力士环球发卖额达到12万亿韩元(107亿美金)，净利润高达26.7亿美金。

1993年反而通过压强原则，重点进犯，科技红利之有效研发投入同比增加70.19%，稳固对日本人的抢先上风。

从科技红利思惟的角度，庞煖们看看韩国人又是如何通过进步压强系数，实现对日本人的逆袭。

1986-1997年，第二次DRAM天下大战-日韩半导体战役发作。

庞煖们以海力士为例：

1992年，64M DRAM，韩国人略微抢先于日本人。

从英国ARM引进音视频措置芯片技术。

1992年三星环球第一个胜利研制64M DRAM。64M DRAM，硅片直径为200-250mm，芯片面积为135mm2，集成度为140000000。

为了拉开与东芝的差异，三星决定新建NAND FLASH工厂。

256M DRAM：4个月内，月产量由40万颗进步到140万颗，增加了250%，出产比重由2.4%进步到6%。

1989年三星第一块4M DRAM与日本人几近是同时投放市场的。

反观韩国人，依托天朝大陆市场的计谋纵深，仰仗无锡海力士的投产，海力士仅仅一年时候就规复元气。

第一块256K DRAM投放市场时是1986年，比日本人晚了24个月。

2004年，海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂，项目总投资20亿美金。

海力士拿着韩国利川工厂淘汰的8英寸晶圆设备，依托天朝资金、地盘、工人和天朝市场，用戋戋3亿美金撬动了一项20亿美金的投资。

堕入1997年东南亚金融危急的韩国海力士(Hynix)，以3.8亿美金的代价，将TFT-LCD部分团体售给京东方，海力士就此专注于DRAM范畴，并获得贵重的资金和天朝市场。

日本NEC居第二。

2006年海力士90纳米技术出产的8英寸晶圆顺利下线，合格率超越95%。

2009年第三季度，海力士扭亏为盈。

2、2、西安市每年向三星补助水、电、绿化、物流用度5亿元。

1980-1985年，韩国人在米国人搀扶下，仅仅用5年时候快速完成并把握16K、64K 、256K DRAM的关头技术的研制，一举超出日本人畴昔三十年的统统尽力。

3、3、西安市财务对投资额停止30%的补助。

这一期间，韩国半导体产业产值超越225亿美金，期间增加437%。

而同期间的日本半导体产业，从1985年开端日本经济进入泡沫化，全民炒房。

1992年，三星开端抢先日本，推出环球第一个64M DRAM产品。

1968-1980年，在米国人帮忙下，韩国人完成追逐，开端建立了半导体产业体系。

1995年韩国人再次快速晋升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度晋升，同比增速高达96.82%。

2008年环球金融危急发作后，一年时候内，环球DRAM财产累计亏损超越125亿美金，苔弯省DRAM财产更是全线崩盘。

从米国SUN公司引进JAVA措置器技术。

苔弯五家DRAM厂几近每天亏损1亿元，合计亏损1592亿元新台币(48亿美金)。

嗯，从小泉纯一郎到现在的安倍，他们每天忙着来莳花家肇事，比如垂钓岛。

天朝大陆市场这一广漠的计谋纵深，在2008年环球金融危急，使得韩国人仅仅一年时候就规复元气进而完整打倒苔弯人，在环球半导体存储器的把持职位一向持续至今。

韩国当代以21.26亿美金居第三位。

在闻名的《科技红利大期间》一书中，初次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研讨思惟。

从法国STM(意法半导体)引进DSP芯片技术。

韩国成为环球半导体内存市场第四个霸主。

垂钓岛主权自古以来就属于天朝人的！干你大爷的小日本！

如同日韩半导体战役中，米国人放开米国海内市场给韩国人普通。挺进天朝大陆市场，韩国人具有了广漠的计谋纵深。

1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降落到只要2650亿日元，降落幅度达80%，这就给韩国人反超的机遇。