第一九六章 浸没式光刻技术
不过这些都不是大题目,他们卖力记着法则,应用法则,而刘言他们则是需求在这个根本上突破法则,创建法则。
刘言一开端提到了adm,确切,星空科技公司的45nm工艺跟adm比较相像。
这层绝缘体堵截了上方mos管泄电流的回路,使得芯片能够轻松抵当泄电流。
不是说你教了他一加一即是二,他算不出来一加二即是三的那种。
以是说,他们这些机器人跟刘言他们这些人相辅相成,加在一起有着奥秘的加成。
比及前面刘言说这类技术能够在金属线间制造完整的真空状况的时候,乐远俄然有点恍然,不但名字不异,刘言他说的这类技术,就是ibm公司的air gap技术的雏形。
他们这些人即是就是个挪动的申明书啊,逆向工程大部分靠的就是他们。
讲完课的刘言还是精力抖擞的模样,笑着点头,“谈不上辛苦,这本来就是我们的本职事情。”
散了这个会以后,大师又各自回到本身的岗亭上开端了本身的研讨事情。
“不轻易啊,我本来觉得逆向45nm工艺要花很多时候,想不你们不但大大收缩了这个时候,并且还在此根本上有了冲破。”乐远赞叹道。
星空科技总公司的研发部里,研发部统统的职员都参加了,刘言站在一个临时搭建的讲台上冲动地说道。
“这么成熟的193nm淹没式光刻技术,我只传闻过adm有!”
刘言他们走了一条跟ibm一样的路,起码在超低k电介质方面是完整一样的。
不过看到刘言的镇静劲,乐远当然不忍心打断他。能够在这么短的时候内逆向星空一号的措置的45nm工艺,是很不轻易的,可想而知,他们这些人支出了多少东西。
“而这项技术上面我们有的首要题目,就是淹没液体,液体淹没体例,大数据孔径……”
当气隙技术四个字刚从刘言最内里说出来的时候,乐远就是一愣,这个称呼他有印象,只不过是上一世听过的。
实在没甚么辨别,独一辨别就是光刻胶和投影物镜之间的空间变成了液体。
不过阿谁时候没有这么多人,导师也只带了四个门生,讲堂上另有发问和互动,跟现在只是刘言一小我在说有些分歧。
不过乐远却晓得这些机器人的缺点,他们有着无穷的精力能够去获得知识,但是他们永久都贫乏缔造才气,也就是举一反三的才气,这类举一反三不是简朴的举一反三。
而是你教了他们加法,他们永久都研讨不出来乘法。
“而在193nm淹没式光刻技术的根本上,想冲要破到32nm,还是有了开端的能够性,我们只需求晋升光刻设备便可。”
比及刘言说完,乐远笑着给他鼓掌,其别人也跟着鼓掌。
乐远笑了笑,这是他之前没有想到的结果,现在看来也是不测之喜。
又听了一个多小时,刘言才在气隙技术的缺点和需求处理的题目中结束了讲授。
来了,本来昏昏欲睡的乐远精力一振,现在讲的就是他特地飞返来要听的东西了。
这是ibm公司在08年09年那两年开辟出的一种技术,现在这个时候段他们还没有开辟出来。
跟intel庞大的用料及工艺流程分歧,星空公司没无益用高k,因为星空公司有一种近似与soi工艺的技术。
193nm淹没式光刻技术不是刘言他们发明的,也不是星空公司本身发明的,早在2002年的时候淹没式光刻技术就帮忙冲破了65nm技术节点。
刘言在上面讲得慷慨激昂,但是乐远却听得有些昏昏欲睡,因为这些东西都是须生常谈了。
不过乐远俄然又想到走之前刘言托给他的事情,他对刘言说道,“刘教员,你之前叫我去给你找的尝试助手,我去燕京的时候还没找,不过你放心,我已经托人去跟他们联络了。”
“我们都是晓得,淹没式光刻技术需求在光刻投影物镜最后一个透镜的下大要与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体,就像这个图。”刘言敲了敲大字幕,上面投影仪投射出一幅示企图。
对于这个题目,刘言本来就想问的,不过乐远解释了,他也没有再说甚么,笑道,“没干系的,现在也不急,渐渐来。”
当然,现在的ibm还没有走上这条路,而让刘言他们先走了一步。
而在2004年年底的时候ibm和台积电别离宣布采取193nm淹没是光刻技术制造出全服从的芯片。
乐远笑着走到刘言面前,“刘教员,真是辛苦你了。”
示企图中,显现着传统光刻和淹没式光刻的对比。
“而气隙技术,能够在32nm芯片的金属线间制造完整的真空状况,以减少互连层百分之三十到四十的寄生电容,详细的数字还要今后持续尝试才气得出来。”
乐远揉了揉酸痛的双眼,感受本身仿佛回到了大学期间听导师讲课的时候。
刘言谦善道,“公司给了这么多资本,我们用的是天下上最早进的仪器,身边另有最优良的科研人才,如果连逆向工程都搞不定的话,那又如何有脸面对乐总,面对全公司。幸亏我们也算没有丢人,有了一些冲破。”
他们能够敏捷熟谙法则,应用法则,却没法突破法则,创建法则。
“按照瑞利衍射道理,我们能够算出193nm淹没式光刻机的辩白率,从成果能够看得出来,淹没式光刻的特性尺寸缩小为传统光刻的n分之一,相称于有效暴光波长缩小为本来的n分之一。”
刘言口中说的最优良的科研人才就是赵天他们那些机器人,通过这些天的打仗,刘言已经承认了他们的才气,只如果尝试室内里的东西,就没有他们不晓得的。
“起首,我们要说一下超低k电介质,气隙技术,针对32nm节点的半导体制程节点生长蓝图中,必须采取超低k电介质来降落相邻金属线之间的寄生电容,特别是互连层上。”
所谓的soi就是绝缘体上的硅技术的缩写,这类技术和传统的纯硅晶圆分歧,它利用的晶圆底部是一层绝缘层。
以是说,星空公司沉浸式光刻技术只不过比较成熟,在各方面的题目上措置地比较好罢了。
乐远眼睛一亮,这但是不测之喜,看这模样,刘言他们果然是有掌控冲破到32nm工艺的。